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功能簡介

KC3110功率半導(dǎo)體高精度靜態(tài)特性測試系統(tǒng)，基于全新三代半SiC, GaN器件和模塊以及車規(guī)級模塊的新興要求而進(jìn)行的一次高標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品開發(fā)。本系統(tǒng)可以在3KV和1000/2000A的條件下實(shí)現(xiàn)精確測量和參數(shù)分析，漏電流測試分辨率高達(dá)fA級，電壓測試分阱率最高可這nV級，以及3000V高壓下的寄生電容的精密測量。全自動(dòng)程控軟件，圖型化上位機(jī)操作界面。內(nèi)置開關(guān)切換矩陣保證測試效率。模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)預(yù)留升級擴(kuò)展?jié)撃?。測試接口可外掛各類夾具和適配器，還能夠通過專用接口連接各種Handler：如分選機(jī)、機(jī)械手、探針臺(tái)、編帶機(jī)等。

功能簡介

設(shè)備簡介KC3120功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)可針對各類型 GaN、Si基及SiC基二極管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)測試，如開通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、上升時(shí)間、下降時(shí)間、導(dǎo)通延遲時(shí)間、關(guān)斷延遲時(shí)間、開通損耗、關(guān)斷損耗、柵極總電荷、柵源充電電量、平臺(tái)電壓、反向恢復(fù)時(shí)間、反向恢復(fù)充電電量、反向恢復(fù)電流、反向恢復(fù)損耗、反向恢復(fù)電流變化率、反向恢復(fù)電壓變化率、輸入電容、輸出電容、反向轉(zhuǎn)移電容、短路。通過更換不同的測試單元以達(dá)到對應(yīng)測試內(nèi)容，通過軟件切換可以選擇測試單元、測試項(xiàng)目及配置測試參數(shù)、 讀取保存測試結(jié)果。

功能簡介

現(xiàn)代寬禁帶功率器件 (SiC, GaN) 上的開關(guān)晶體管速度越來越快，使得測量和表征成為相當(dāng)大的挑戰(zhàn)。AQG 324特別突出了功率循環(huán)試驗(yàn)，在整個(gè)SiC-MOSFET壽命試驗(yàn)相關(guān)內(nèi)容中，功率循環(huán)試驗(yàn)不僅被列為首項(xiàng)，且占據(jù)的篇幅超過其他所有試驗(yàn)項(xiàng)目之和。

功能簡介

設(shè)備簡介KC3111功率半導(dǎo)體高精度靜態(tài)特性測試系統(tǒng)（面向工廠生產(chǎn)端），基于全新三代半SiC, GaN器件和模塊以及車規(guī)級模塊的新興要求而進(jìn)行的一次高標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品開發(fā)。脈沖信號源輸出方面，高壓源標(biāo)配2000V（選配3.5KV）,高流源標(biāo)配1KA（選配4KA多模塊并聯(lián)）,柵極電壓30V。采用多量程設(shè)計(jì)架構(gòu)，各量程下均可保證0.1%精度，具有uΩ級精確測量，pA 級漏電流測量能力。全自動(dòng)程控軟件，圖型化上位機(jī)操作界面。內(nèi)置開關(guān)切換矩陣保證測試效率。模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)預(yù)留升級擴(kuò)展?jié)撃?。測試接口可外掛各類夾具和適配器，還能夠通過專用接口連接各種Handler：如分選機(jī)、機(jī)械手、探針臺(tái)、編帶機(jī)等。

功能簡介

KC-3105 測試系統(tǒng)中可同時(shí)完成HTRB和DHTRB測試，整體架構(gòu)模塊化，通訊協(xié)議、通訊接口等采用統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，便于后期擴(kuò)展和維護(hù)。該系統(tǒng)集成度高、應(yīng)用覆蓋面廣，系統(tǒng)采用軟、硬件一體化設(shè)計(jì)且功能豐富，在保證系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的同時(shí)，可以快速滿足功率半導(dǎo)體可靠性測試需求。