現(xiàn)代寬禁帶功率器件 (SiC, GaN) 上的開關(guān)晶體管速度越來越快，使得 測量和表征成為相當大的挑戰(zhàn)。AQG 324特別突出了功率循環(huán)試驗，在 整個SiC-MOSFET壽命試驗相關(guān)內(nèi)容中，功率循環(huán)試驗不僅被列為首項， 且占據(jù)的篇幅超過其他所有試驗項目之和。 KC-3130 測試系統(tǒng)中可同時秒級功率循環(huán)和分鐘級功率循環(huán)，整體架構(gòu) 模塊化，通訊協(xié)議、通訊接口等采用統(tǒng)一標準，便于后期擴展和維護。 在保證系統(tǒng)穩(wěn)定運行的同時，可快速滿足功率半導體可靠性測試需求。 參考標準 JEDEC、MIL-STD-750E、GJB128A、AEC-Q101、IEC60747- 2/6 ch. IV、IEC60747-9、JESD51-14
特點
KC-3130系統(tǒng)包含： 硬件平臺+實時軟件，其中硬件平臺包 含 ： FTG 大電流電源、水冷（油冷）夾具平臺、FTL恒流源、測量 采集控制模塊等，主要特點如下: 分鐘級/秒級功率循環(huán)：通過配套水循環(huán)控制，本系統(tǒng)可兼容分鐘級 和秒級（最低0.5S）的Power Cycling試驗 可配置包括功率循環(huán)試驗設(shè)備&K系數(shù)測試儀，相互獨立的雙系統(tǒng)，同 時測試，互不影響； 單平臺配置2000A恒流源，并聯(lián)使用電源時，單平臺最大可達6000A； 可測試IGBT/MOSFET/Diode等器件； 使用瞬態(tài)雙界面測試法獲取不同時刻下的瞬態(tài)熱阻抗曲線，通過算法 得到連續(xù)時間頻譜函數(shù)R(Z)和結(jié)構(gòu)函數(shù)，得出熱阻值 互補輸出：提高測試樣品數(shù)量；柵極漏電流監(jiān)測：失效預(yù)測
